imec科幻影视_B站影视

3D NAND，如何演进？

这种专为高密度数据存储而设计的非易失性存储器几乎应用于电子市场的各个领域，从智能手机到数据中心，无所不包。它被用于大多数可移动和便携式存储设备，例如 SD 卡和 U 盘。近年来，3D NAND 在人工智能的蓬勃发展中也扮演了重要角色，为训练人工智能模型所需的大

近期，印度前陆军中将P・R・尚卡尔在油管视频平台发布视频，分析“中国近期突然加大对印度示好”的动因。作者指出，在全球力量格局重塑之际，面对美印俄可能形成的新三角关系，以及自身在经济和国际话语权方面的困境，中国亟需拉拢印度以避免被边缘化。尚卡尔还认为，中国试图借

连接数据中心内密集计算机的光链路可能很快就会迎来关键升级。至少有两家公司——Imec和 NLM Photonics——表示，他们已经实现了每通道 400 千兆位/秒的数据传输速率（这是数据中心的下一个关键目标），或者即将实现这一速度。此外，这两家团队的设备均基

企查查APP显示，近日，上海亿存芯半导体有限公司发生工商变更，原股东长治市金伯乐汽贸汽配城有限公司、郝清山退出，新增圣邦股份为股东并持股77.54%，同时法定代表人变更为徐前江。据披露，亿存芯半导体是一家芯片设计企业，专注于高性能高可靠性非挥发性存储器、高品质

比利时研究和创新中心Imec宣布，AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys和Veeco成为其300毫米GaN开放式创新计划的首批合作伙伴，该计划适用于低压和高压电力电子应用。该计划是imec关于GaN电力

当地时间10月6日，全球领先的纳米电子和数字技术研究和创新中心——比利时微电子研究中心（imec）宣布，欢迎 AIXTRON、GlobalFoundries、KLA Corporation、Synopsys 和 Veeco 成为其 300 毫米氮化镓（GaN

比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发

比利时微电子研究中心（imec）日前发布重大消息，宣布其在高数值孔径极紫外曝光（High NA EUV）单次图形化技术上取得了新的突破性里程碑，代表着High NA EUV图形化能力向A10及更先进逻辑节点迈进的强大实力，同时也强调了Imec在曝光微影技术研发

芯片制造商正逐步淘汰先进节点上的部分金属。虽然钌衬层已接近量产阶段，但该金属尚无法在高度规模化的互连结构中替代铜。imec 研究员Zsolt Tőkei指出，钌的成本极高，而现有制造工艺对此并无改善作用。此外，在大马士革工艺（damascene schemes

在科技迅猛发展的今天，芯片技术作为现代信息技术的核心，其每一次突破都如同在黑暗中点亮一盏明灯，为各个领域的创新发展开辟新的道路。当下，光子学产业正以惊人的速度迈向主流应用，硅光子芯片从实验室走向工厂的进程不断加速。这一变革，有望在数据中心、人工智能和电信等关键

在先进节点，芯片制造商正逐一淘汰某些金属。尽管钌（ruthenium）衬垫已接近量产准备，但该金属尚未准备好在高度微缩的互连中取代铜。欧洲微电子研究中心（imec）的院士Zsolt Tőkei指出，钌的价格非常昂贵，且当前的制造工艺对此并无助益。此外，大马士革

芯片制造商正在逐步淘汰先进节点上的金属。虽然钌衬垫已接近量产阶段，但这种金属还不足以取代高度可扩展互连中的铜。钌价格昂贵，目前的制造工艺也无济于事。此外，imec 研究员 Zsolt Tőkei 表示，镶嵌工艺中“过度沉积和抛光”步骤产生的废料量令人担忧。虽然

2025年8月，半导体工程领域的权威媒体《Semiconductor Engineering》发表文章，探讨了铜互连技术在先进制程节点（10纳米以下）面临的瓶颈以及钌（Ruthenium）等新材料崛起的趋势。近三十年来，铜一直是芯片互连的首选材料，因其高导电